高频微波三极管 BFG425-SOT343R三极管
bfg425npn transistor (npn)
microwave uhf low noise amplifier
npn silicon epitaxial transistor
简述： |
具有高功率增益放大以及低噪声特性，大动态范围，理想的电流线性；
主要应用于超高频微波无线射频放大、uhf和卫星电视、catv高频宽带低噪声放大器等电路中；
集电极-基极击穿电压：bvcbo≥4.5v，Zui大集电极电流：ic≥25ma,集电极功率：pc≥135mw，特征频率：ft=25ghz；
可替代进口同类型号参数的高频微波低噪声晶体管；
封装形式：sot-343r,本体印字：p5。
极限参数（tamb=25℃）： | |||
参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
集电极-基极击穿电压 | bvcbo | 9 | v |
集电极-发射极击穿电压 | bvceo | 4.5 | v |
发射极-基极击穿电压 | bvebo | 1 | v |
集电极电流 | ic | 100 | ma |
耗散功率 | pt | 135 | mw |
Zui高结温 | tj | 150 | ℃ |
储存温度 | tstg | -65～+150 | ℃ |
电参数及规格（tamb=25℃）： | ||||||
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 额定值 | 单位 | ||
Zui小值 | 典型值 | Zui大值 | ||||
集电极-基极击穿电压 | bvcbo | ic=2.5μa, ie=0 ma | 10 | - | - | v |
集电极-发射极击穿电压 | bvceo | ic=1.0ma, ib=0 ma | 4.5 | - | - | v |
发射极-基极击穿电压 | bvebo | ie=2.5μa, ic=0ma | 1 | - | - | v |
集电极截止电流 | icbo | vcb=4.5v,ie=0 ma | - | - | 15 | na |
发射极截止电流 | iebo | veb=1.0v,ic=0 ma | - | - | 15 | na |
直流电流放大系数 | hfe | vce=2v,ic=25ma | 50 | 100 | 120 |
|
特征频率 | ft | vce=2v,ic=25ma, f=2ghz | - | 25 | - | ghz |
反馈电容 | cre | ie=0ma,vcb=2v,f=1mhz | 95 | 105 | - | ff |
插入功率增益 | ∣s21e∣2 | ic=25ma,vce=2v,f=2ghz | 16 | 17 | - | db |
噪声系数 | nf | vce=2v,ic=2ma,f=900mhz |
| 0.8 |
| db |
vce=2v,ic=2ma,f=2ghz | - | 1.2 | 2.0 | db | ||
本产品的应用范围是微波，品牌是国产，型号是BFG425W-P5，材料是锗(Ge)，封装形式是贴片型,SOT343
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